類神經元計算機新材料問世

　　中化新(xin)網(wang)訊(xun) 俄羅斯國立核研究(jiu)大學(xue)莫(mo)斯科工(gong)程(cheng)物理(li)學(xue)院的(de)學(xue)者們(men)，與俄羅斯科學(xue)院的(de)專家們(men)通(tong)力合作，推出了(le)能(neng)實現電(dian)阻開(kai)關兩極效應的(de)新(xin)材料。這些材料可被用來(lai)研發類似人(ren)腦神經元(yuan)的(de)、能(neng)儲存和處理(li)信息(xi)的(de)計算機。研究(jiu)結果發表在《自(zi)然(ran)·通(tong)訊(xun)》雜志上(shang)。

　　借助新材料制造的(de)計(ji)算機(ji)，將擁有新的(de)信息處理方(fang)法，因為其內部(bu)存(cun)儲器和(he)硬(ying)盤將像人腦的(de)神經元一樣(yang)運行。

　　國立核研(yan)究(jiu)大(da)學(xue)莫斯科工程(cheng)物理學(xue)院的研(yan)究(jiu)人員此前已經證明(ming)，這種材料存在(zai)于磁阻極大(da)的材料和高溫超(chao)導體中。

　　該院激光(guang)和等離(li)子(zi)體技術研(yan)究所固體物理學(xue)和納米(mi)系統教研(yan)室副(fu)教授安德(de)烈(lie)·伊萬諾夫(fu)評(ping)論說：“此項工作的創新之(zhi)處在于，它采用了光(guang)刻方法(fa)，有助于研(yan)發內存元素微型化的技術。”

　　由(you)此，科研人員選擇在鈦酸鍶單(dan)晶襯板表(biao)面(mian)上生成(cheng)的外(wai)(wai)延(yan)薄層，并證實(shi)了利(li)用這種外(wai)(wai)延(yan)薄層制造新一(yi)代計算機憶阻器的可(ke)行性。